固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以创建定制的 SSR。从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，该技术与标准CMOS处理兼容，

例如，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、在MOSFET关断期间，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以支持高频功率控制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，负载是否具有电阻性，涵盖白色家电、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，无需在隔离侧使用单独的电源，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以满足各种应用和作环境的特定需求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。还需要散热和足够的气流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

此外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

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